Infineon 推出全新热优化 CoolSiC™ MOSFET，为高效能应用注入新活力
2025年8月1日，Electronics Weekly 独家报道
Infineon Technologies AG，这位半导体领域的全球领导者，近日再次引领行业创新，隆重推出了其备受期待的、经过热力学优化的全新 CoolSiC™ MOSFET 器件。此次发布的 CoolSiC™ MOSFET 以其卓越的散热性能和可靠性，为电动汽车、工业电源、可再生能源以及数据中心等对效率和性能有着严苛要求的高科技应用领域注入了新的活力。
热管理升级，性能更胜一筹
在现代电子设备日益追求小型化、高集成度的趋势下，有效管理热量成为保障器件稳定运行和提升整体效率的关键。Infineon 此次推出的新型 CoolSiC™ MOSFET，正是针对这一挑战而生。通过其在碳化硅（SiC）技术领域的深厚积累和持续研发，Infineon 成功地优化了器件的内部结构和封装技术，实现了显著的热管理性能提升。
这意味着什么呢？简单来说，这些新一代的 CoolSiC™ MOSFET 能够更有效地将工作过程中产生的热量散发出去，从而保持更低的结温。更低的结温不仅能够延长器件的使用寿命，减少因过热引起的故障风险，更能使器件在更宽的温度范围内保持其最佳的电气性能。对于那些需要在严苛环境下工作的系统而言，这是一个巨大的福音。
CoolSiC™ 技术的核心优势，再添亮点
Infineon 的 CoolSiC™ 技术一直以其低损耗、高开关速度和高功率密度而著称，此次的热优化更是将这些优势发挥到了新的高度。
- 更低的导通损耗： 优化的散热设计使得器件可以在更高的电流密度下工作，而无需担心过热问题，从而有效降低了导通损耗，提升了整体系统的效率。
- 更优越的开关性能： 即使在更高的工作频率下，得益于出色的热管理，新型 CoolSiC™ MOSFET 也能保持稳定的开关特性，减少了开关损耗，进一步提升了能源利用效率。
- 更高的可靠性： 经过热力学优化的设计，显著降低了器件因热应力而产生的损伤风险，为追求长久稳定运行的应用提供了更坚实的保障。
- 更小的系统尺寸： 凭借其卓越的功率密度和热管理能力，工程师可以设计出更小巧、更紧凑的电源解决方案，这对于空间受限的应用场景尤为重要。
赋能未来，驱动绿色高效
Infineon 此次发布的 CoolSiC™ MOSFET，预示着高性能电力电子器件在可持续发展领域的巨大潜力。在电动汽车领域，更高效的逆变器和充电器意味着更长的续航里程和更快的充电速度；在可再生能源领域，更优化的功率转换器能够最大限度地捕捉和利用太阳能和风能；在工业应用中，更稳定的电源和电机驱动将进一步提升生产效率和降低能耗。
Infineon 始终致力于提供领先的半导体解决方案，以应对全球性的挑战。此次推出的全新热优化 CoolSiC™ MOSFET，正是他们践行这一承诺的有力证明。随着技术的不断进步，我们有理由相信，Infineon 的 CoolSiC™ 技术将继续在推动绿色能源和高效电力电子的道路上发挥至关重要的作用。
此次新品的推出，无疑将为业界带来更多令人兴奋的创新应用，让我们共同期待这些高性能器件在未来为我们的生活和科技发展带来的积极改变。
Infineon adds thermally optimised CoolSiC MOSFET
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